电阻法碳化硅晶体生长设备UK-T6

1、**解决了感应炉径向温度梯度大的技术难点，可实现径向温度梯度小和轴向温度梯度可控，晶体内部缺陷少， 良率高、重复性好；

2、与传统工艺长达7-14天的晶体生长周期相比，UKING ERH SiC RV4.0设备晶体生长速度更快，整个过程可控制在7天之内；

3、 自动化程度高，操控简单，有利于批量生产，提高晶体生长效率和稳定性。